太陽電池の高効率化に向けた高い電子移動度を有する透明電極の実現

実施期間：2011 - 2012
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学部, 准教授 )
研究概要：

スパッタ法にて低い抵抗率かつ高い移動度を有するSnO:Ta(TTO)薄膜の作製に取り組んだ。ルチル型Ti0.55Nb0.45O2をシード層として用いることで、スパッタSnO2系薄膜としてトップレベルの抵抗率6×10-4 Ωcmを達成することができた。ここで得られた電気的・光学的特性は太陽電池用の透明電極として非常に有望であると考えられる。しかし、移動度に関しては目標値80 cm^2・V^-1・s^-1には及んでいない。移動度を目標値に到達させるには、シード層の配向性をコントロールする必要があることが課題として抽出できた。もうひとつ、SnO2へ添加元素の検討も行った。その結果、Taが最も有効な添加元素であるという結論が得られた。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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