相変化材料を用いたスピントロニクス機能開拓

体系的課題番号：JPMJFR203H
実施期間：2021 - 2027
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院総合文化研究科, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJFR203H
研究概要：

物質中の電子スピンを利用したスピントロニクス技術と相変化メモリで用いられる技術・材料を組み合わせることで、これまでにないスピントロニクス技術の創出を目指します。相変化材料薄膜の結晶相とアモルファス相の間の相変化を利用して、電流よりも低消費電力であるスピン流の高速スイッチや、次世代メモリへの応用が期待される磁気スキルミオンの生成・伝搬、さらには新しい複合メモリとして相変化磁気メモリを実現します。