シリコン系赤外センサの開発

実施期間：2010 - 2010
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学部, 准教授 )
研究概要：

本研究は、水銀、鉛、ヒ素、アンチモンなどの有害性の高い重金属やインジウムなどの稀少金属を構成元素に含まないシリサイド系半導体を用いて、資源・環境リスク対応型のシリコン系赤外センサを開発することを目標に行った。その結果、有害性の高い重金属や稀少金属を構成元素に含まないシリサイド半導体でショットキー接合ダイオードの形成に成功し、赤外域に受光感度を持つ赤外センサを開発した。今後、デバイス構造の最適化など更なる高感度化に向けた研究課題は残るがシリコンプロセスでの微細加工により赤外センサアレイなどへの応用展開も期待される。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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