歪半導体カンチレバー応用次世代プローブカードの研究開発

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授 )
研究概要：

課題全体としては,申請者研究室のオリジナルなアイデアである、化合物半導体歪み多層構造を応用した、1)超精細特殊形状カンチレバー(特願2006-262739)の作製技術を確立し、2)大規模集積回路(LSI)検査装置用次世代プローブカードの応用開発を進め、それに基づくMEMS新市場形成を狙うが、本試験研究では、1)の、超微細(超柔軟、多機能)個別カンチレバーの開発技術確立を達成し、2)の、超微細カンチレバーの高集積化製品(プローブカード)開発へと発展させる基礎を構築する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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