研課題
J-GLOBAL ID:202104011431307061  研究課題コード:13408363

AlN/AlGaN超格子構造を用いた高品質AlN導電性テンプレート基板の作製

実施期間:2013 - 2013
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 工学研究科 )
研究概要:
本研究では、n型伝導性を有するAlN/ AlGaN超格子構造と高品質n型AlN導電性テンプレート基板の作製を目標に、転位密度の異なるAlN下地基板上にn型AlN単結晶薄膜の成長、低キャリア濃度(1015cm-3)でのn型伝導性の制御の評価、凹凸ストライプ基板(AlN/サファイア基板)上への高品質Si添加AlN成長層の作製を行なった。 低キャリア濃度ではn型伝導性が制御されたAlGaN成長層を得ることができた。また、周期溝加工AlN/サファイア基板上へボイドを形成ながらAlN結晶成長を行なうことで、表面平坦性が良好な高品質Si添加AlN成長層が得られた。 今後は、超格子構造を用いることとCH3SiH3の流量を変えることで、更に高濃度のAlGaN成長層が得られるものと考えられる。また、得られた成長層の上に超格子高導電層を成長させることで、導電性を有しかつ高品質であるAlN膜の作製を実現が可能であると考えられる。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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