窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化

実施期間：2013 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 金属材料研究所, 教授 )
研究概要：

高In組成側のInAlN薄膜の有機金属気相成長(MOVPE)を目的とし、そのホスト材料であるInN薄膜の結晶成長条件について減圧・加圧型MOVPE装置を用いて探索した。成長用基板の窒化処理、GaNバッファ層の導入、および、InN薄膜層の成長温度等の成長条件を最適化し、加圧環境下においてサファイア基板上に結晶配向性の良いInN薄膜を成長することができた。また、準安定相である立方晶InNの混在形態や出現条件についても明らかにした。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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