鉄シリサイド光センサ

実施期間：2000 -
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 主任研究官 )
研究概要：

鉄とシリコンの化合物であるβ-FeSi2半導体薄膜を用いた光センサの研究開発を行う。β-FeSi2半導体光センサは、1.5μm帯で高感度、高SN比、広いダイナミック特性を持ち、かつ優れた耐候性を有する。本センサはSi基板との一体化が容易であり、光ファイバ通信を始めとした広範囲な利用が期待できる。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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