ひずみSiプロセス計測用近接場ラマン分光装置の開発

実施期間：2006 -
実施機関 (1件)：
企業責任者：
研究概要：

先端Si半導体技術では、引張り・圧縮ひずみをチャンネルにかけるひずみSi技術が必須となっているが、現在のところ、この技術に対して適切な評価方法が無いため製造歩留まりが悪く、数十nmの空間分解能でのひずみ分布計測が求められている。ラマン分光法は、Siピークの微小シフトから引張り・圧縮応力値を定量的に直読できる計測法であるが、光の回折限界から200 nm以下の空間分解能での評価に対応できなかった。この制約を超える方法として、金属コートした鋭利なプローブの先端径オーダ(~50 nm)の空間分解能が得られる、反射型近接場ラマン分光装置の開発が期待されているが、現状では世界中のどのメーカーも実用レベルの開発に成功していない。本研究では、高空間分解能を有し2次元イメージとしてひずみ分布計測が可能な反射型近接場ラマン分光装置の開発を行う。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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