研課題
J-GLOBAL ID:202104011589533808  研究課題コード:7700104418

ZnO系LEDを目指した高品質ZnO薄膜作製研究

実施期間:2006 - 2006
実施機関 (1件):
研究代表者: ( )
研究概要:
ZnO(酸化亜鉛)は、ワイドギャップ半導体でLED の材料として期待されている。特に最近はpn 接合(ZnO基板/p 型ZnO 薄膜)による紫外-青色のZnO 系LED 発光が、東北大学(レーザーMBE 法)と岩手大学(反応性蒸着法)から相次いで報告され、その実用化開発が注目されている。しかし、ZnO 系LED の実用化のためには、結晶性がよく欠陥の少ない高品質な薄膜を広い面積に速い速度で成膜する量産技術が必要である。そこで本研究では、GaN 系青色LED の量産技術として広く用いられている有機金属気相法(MOCVD 法)を用いて、高品質なZnO 薄膜を得るための条件の確立を目指す。ZnO の成膜実験はMOCVD 法以外の方法が先行しているが、それは従来のMOCVD 法に用いられてきた原料が引火しやすく危険であったためである。そこで本研究では、安全な有機亜鉛錯体を溶剤に溶かして原料として使用する溶液気化式MOCVD 装置を用いて、実用化の目安となる成膜速度1μm/h、膜厚の均一性(2 インチで5%以内)、単結晶並みの結晶性(X 線回折半値幅100sec 以下)を目標とする。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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