脱炭素/分散社会のためのパワーエレクトロニクスに向けたGaN絶縁ゲート構造形成技術の開発

体系的課題番号：JPMJTM20P5
実施期間：2021 - 2021
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 総合教育院, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTM20P5
研究概要：

コロナパンデミックを経て社会は都市集中型から地域分散型への変革が予想される。ポストコロナの脱炭素/分散社会を合理的で豊かな世界にするためには、再生可能エネルギーを含むあらゆるエネルギーを効率的に利活用するエレクトロニクス技術が益々重要となる。本課題は、パワーエレクトロニクス分野で注目される窒化物半導体(GaN)電子デバイスに重要な、ゲート絶縁構造の形成技術の開発を行う。基底状態原子を化学反応に用いる独自技術により、堆積膜でありながら熱酸化シリコン酸化膜に匹敵する低いリーク電流特性を有する高耐圧なゲート絶縁膜形成技術を開発し、GaNトランジスタ応用を検証する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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