絶縁基板上光電機能素子用Si系半導体の製法と構造に関する研究開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電気電子工学科, 教授 )
研究概要：

薄いドープ層の上に非ドープのSi薄膜をスパッタ法により、室温でガラス基板上に2μm以下の厚さに堆積させる。その膜に対して、RTA(高温短時間加熱)法などにより結晶化させた場合、縦型のダイオード構造として、その光電特性、結晶性を評価する。膜物性の評価結果ををもとに光電機能素子としての応用の可能性を確認する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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