研課題
J-GLOBAL ID:202104011781480408  研究課題コード:09158136

a 軸配向ZnO 透明トランジスタの新規製造プロセス開発

実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 電子工学科, 教授 )
研究概要:
本試験では、安定な昇華特性を有するアセチルアセトン亜鉛(Zn(C5H7O2)2)ファイバーをMO-CVD(有機金属気相成長法)原料としたa軸配向ZnO透明トランジスタ(TFT)を実現するための実用化プロセスを明らかにする。具体的には、従来の研究成果とそれを基にした独自の製法を融合して、表面平坦性と十分な絶縁耐圧を有する積層膜(透明導電電極/ゲート絶縁膜)を形成し、この積層膜上に高移動度、高on/off比を目的とした透明なa軸配向ZnO-TFT構造を実現する。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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