研課題
J-GLOBAL ID：202104012114058168
研究課題コード：12101419
高密着性エッチングレス無電解めっきプロセスの高度化に関する研究
実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, ナノシステム研究部門, 主任研究員 )
研究概要：
我々が開発したエッチングレス無電解めっきプロセスおいて、密着性を高めるために後加熱行程が必要であり,樹脂基材の変形,収縮が避けられなかった。また、めっきプロセスは湿式連続行程であるため、生産プロセスにオーブンでの加熱行程を入れることは好ましくなく、銅めっき等ではめっき膜の酸化が問題となる。よって、後加熱行程の簡略化等により、本めっき法の波及をすすめることを目的とした。 後加熱行程を行わずに、同等以上の密着強度を得ることが可能な手法を探索することを目標とし,短パルス光およびマイクロ波をめっき膜に照射し、密着性を向上させる条件を見出すことを目標とした。キセノンランプからの白色パルス光をめっき膜に照射することにより、瞬間的にサンプルの加熱処理が可能であり、樹脂基材に熱ダメージを与えることなく、金属薄膜が加熱され、密着性を向上させることが可能になった。さらに,最適なマスクとの組み合わせにより、選択的に密着強度を向上させ、金属パターンを樹脂基板上に転写することも可能となった。金めっき膜を用いて様々な高分子基材に対してパルス光照射を行い,パルス光強度,パルス幅,照射回数に関して密着性向上の条件を探索した.その結果,ほとんどの高分子基材に対して密着性向上条件を見出すことができた.
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