新規高信頼性シリコン-メタルコンタクト形成技術の確立

実施期間：2010 - 2010
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学(系)研究科(研究院), 准教授 )
研究概要：

太陽電池やパワーエレクトロニクスデバイスにおいて求められる、シリコン半導体上への高信頼性メタルコンタクトの低コスト形成技術の確立を目指して、申請者らが開発したシリコン上への金属薄膜形成法による銅やニッケルの比較的厚い膜の形成法を開発した。これまでの薄膜の膜厚が数百nmであった原因を検討し、シリコンの溶解防止策を施すことで銅の膜厚を、めっき膜の応力抑制によりニッケルの膜厚を増大させることに成功した。今後、さらに厚膜化と高密着化を進めるとともに、実用デバイスへの適用を目指して企業などとの共同研究を推進する予定である。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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