環境半導体β-FeSi2の高品質エピタキシャル膜成長への挑戦

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電子工学科, 助教授 )
研究概要：

化学洗浄したシリコン基板を短時間でも空気中に暴露すると有機カーボン汚染が付着するが、この汚染をアルゴン雰囲気中で極端紫外光Arエキシマランプ光(波長126nm)を照射すると簡単に除去できることを見出している。この新技術と独自に開発した2段階溶融法によって作製した巨大ε-FeSiターゲットにArFエキシマパルスレーザーを照射してアブレーション種をシリコン基板と熱反応させることにより良質のβ-FeSi2エピタキシャル薄膜を作製する新技術である。さらにレーザーアニールを施してインターネット通信用発光材料に転嫁させる新技術の開発である。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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