有機薄膜トランジスタ用の低温重合可能なゲート絶縁膜

実施期間：2011 - 2012
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , システム工学部, 教授 )
研究概要：

本研究ではPSQをゲート絶縁膜として用い、その表面平坦性を向上させることによってペンタセンを半導体層に用いた有機薄膜トランジスタ(TFT)のキャリア移動度を今までの最大0.21cm^2/(Vs)から1cm^2/(Vs)以上に向上させることを目的とし、低分子架橋剤の添加、表面エネルギーの制御、プロセス条件の検討を実施した。全2者はキャリア移動度向上にはつながらなかった。しかし、PSQ薄膜作製条件を改善することにより、単発的ながら最大キャリア移動度1.2cm^2/(Vs)を得た。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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