その場レーザー光照射による高結晶性非鉛圧電薄膜の開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 材料技術部, 主任研究員 )
研究概要：

圧電薄膜は電子デバイスなどの幅広い製品における必須材料である。中でもチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)はきわめて優れた圧電性を示すことから、広く用いられているが、有害元素である鉛を約70重量%含んでおり、「環境整合性」に優れた代替材料の開発が望まれている。これに対しビスマス系複合酸化物は、PZT代替材料候補として注目されている。そこで本課題では、電子デバイスやセンサー材料としての実用化を目指し、その場レーザー光照射により高結晶性非鉛圧電薄膜を開発する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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