非極性窒化アルミニウム基板作製技術の開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学研究科, 准教授 )
研究概要：

深紫外領域をターゲットとしたAlGaN系の発光・受光素子への期待が高まっているが、その基板としてAlN基板結晶が強く求められている。本研究では、発光・受光効率の高い素子構造を実現するため、非極性面であるa面およびm面AlNの厚膜成長を、HVPE法を用いて行い、その基板作製技術の開発に繋げる。HVPE成長で用いる下地結晶には、AlNと格子定数が近く、かつ市場で入手可能である6H-SiCを用いる。また、下地結晶の剥離などにより、自立基板を作製可能な技術を開発する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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