研課題
J-GLOBAL ID：202104013149037755
研究課題コード：20349699
垂直ブリッジマン法による6インチ酸化ガリウム
体系的課題番号：JPMJTT20B2
実施期間：2020 -
実施機関 (2件)：
,
研究代表者：
(
, 学術研究院(工学系), 准教授 )
企業責任者：
(
, 製造部 , 部長 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJTT20B2
研究概要：
本開発は、酸化ガリウム(Ga2O3)6インチ基板の量産に関するものである。 Ga2O3は、SiCやGaNと比較してバンドギャップが広く、絶縁破壊電界が高いため、小型・高効率なハイパワーデバイスを実現できるとして注目されている。その量産化には基板の大口径化が強く求められているが、従来の結晶成長法(Edge-defined, Film-fed Growth法)では、成長させる結晶よりも相当大きなるつぼが必要で、大口径化は高コストとなる課題があった。
本開発では、信州大学 干川 圭吾 名誉教授と代表研究者らの成果である垂直ブリッジマン法(VB法)を用いて、6インチのGa2O3単結晶基板を作製するための量産技術を確立する。VB法は、るつぼの中で融液を凝固・結晶化させることで、るつぼの内径での結晶成長が可能であり、コストを抑えた大口径化が可能と期待される。
6インチのGa2O3基板供給により、半導体デバイスメーカーによるGa2O3パワーデバイスの事業化を加速させ、省エネルギー技術の普及促進へ大きく貢献することが期待される。
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