研課題
J-GLOBAL ID:202104013177596301  研究課題コード:08000795

フラックス法による高性能光活性単結晶薄膜電極の開発

実施期間:2007 - 2007
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 工学部環境機能工学科, 助手 )
研究概要:
本提案は、フラックス法により基板上に薄膜単結晶を形成する結晶育成法を応用して、色素増感太陽電池に好適な組成を持つ光活性単結晶薄膜を形成し、その複合化基板を光活性電極として電池としての評価を行うものである。計画では、「各種単結晶薄膜作成と触媒特性評価」、「導電性基板上への薄膜形成条件検討(特に低温化)」、「新薄膜により形成した太陽電池の評価」、の3段階で上記提案について検討する。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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