次世代デバイスのためのナノスケール磁気ドメインのキャラクタリゼーション

実施期間：2008 - 2011
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 教授 )
研究概要：

本研究交流は、大容量、超高速、不揮発性という3つの大きな特性を持ったSPRAMならびにMRAM開発の基礎になる研究を行うものである。インド側のナノ磁性構造の作製技術と、日本側の磁区特性測定法等を組み合わせ、研究目的の達成を目指している。

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研究制度：＞＞＞
上位研究課題：情報通信技術と他の分野を結合した複合領域
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

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