レーザー補助広角3次元アトムプローブの開発とデバイス解析への応用

体系的課題番号：JPMJCR0604
実施期間：2006 - 2010
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 磁性材料センター, フェロー )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR0604
研究概要：

磁気・半導体デバイスのナノ領域の原子分布を3次元的に可視化するために、フェムト秒レーザーにより針状試料表面からイオン化する原子を広い角度で取り込むレーザー補助広角3次元アトムプローブを開発します。同時に、あらゆる試料からアトムプローブ試料を作製する技術を開拓し、これまで解析不可能であった難分析試料ならびに半導体、磁気デバイスの高領域3次元原子分布解析を行う技術を確立します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：物質現象の解明と応用に資する新しい計測・分析基盤技術
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2010 事後評価書 , 終了報告書

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