酸化膜除去とプラズマによる半導体作成

体系的課題番号：JPMJPR91F4
実施期間：1991 - 1994
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR91F4
研究概要：

電子ビームを用いた微細加工法及び光励起活性分子を利用した多元の原子層エピタキシー法を検討し、これらを組み合わせた化合物半導体(AlGaAs等)の3次元微細ヘテロ構造の製作方法の確立を目指します。

研究制度：＞＞
上位研究課題：構造と機能物性
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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