研課題
J-GLOBAL ID：202104013558349246
研究課題コード：7700050004
高性能薄膜トランジスタおよびそれを用いた不揮発メモリ
実施期間：2009 - 2012
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, ナノ電子デバイス研究センター, 研究センター長 )
研究概要：
本研究は、産業技術総合研究所(産総研)で開発された新材料、遷移金属Mを内包するSiクラスター(M@Sin)で構成したアモルファス薄膜が、現在多用されている水素化アモルファスSi薄膜よりも高いキャリア移動度を持っていることを利用し、薄膜トランジスタ(TFT)および不揮発メモリへの適用可能性を探ることを目的とした。台湾 国立交通大学(NCTU)の荊 鳳徳 教授(Prof. Albert Chin)は、多結晶シリコン薄膜に高誘電率ゲート絶縁膜と金属ゲート電極を適用した高性能のTFTおよびメモリについて、高い研究実績を有している。そこで、産総研が上記薄膜の堆積方法と膜質の改善を行い、台湾側がその材料を用いてデバイスの試作と特性評価を行うこととした。本共同研究で日台が交流を通じて相補的に取り組むことにより、水素化アモルファスSi TFTを超える電流駆動力を有する、新しいSiベースの高性能TFTの開発が期待される。
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ナノデバイス
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