ナノプローブ形成用電界電離型ガスイオン源の開発

体系的課題番号：JPMJSN10B8
実施期間：2010 - 2012
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJSN10B8
研究概要：

Ga液体金属イオン源(Ga-LMIS)を搭載した現行の集束イオンビーム装置では、試料観察・加工時に照射Gaイオンによる試料汚染が深刻な問題となっています。またGaイオンのエネルギー拡がりに起因する色収差が、集束特性悪化の原因になっています。本課題では、Ga-LMISに替わる高輝度イオン源として電界電離型ガスイオン源を開発し、不活性な重希ガスイオン(Ne,Ar)の高輝度ビーム形成を実証すると共に、実用化に向けてビーム電流の安定度の向上およびエミッターの長寿命化を図ります。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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