導電性高分子超薄膜を用いた有機EL素子正孔注入層の開発

実施期間：2005 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 物質工学専攻 )
研究概要：

本研究では正孔注入効率を改善することで有機EL素子の低駆動電圧や高発光効率化が期待できることから、正孔注入層として導電性高分子であるポリ(3-へキシルチオフェン)(PHT)を用い、これを混合LB法によって分子レベルで超薄膜化し、有機EL素子特性の評価を行い、導電性超薄膜を用いた正孔注入層を開発する。現在、有機EL素子の正孔注入層として主にポリ(3,4-エチレンジオキシテオフェン)(PEDOT)/ポリスチレンスルフォン酸(PSS)のスピンコート膜が用いられているが、スピンコート法では膜厚を分子レベル(3~10nm)で制御することはできない。また、正孔注入層としてはITO電極との界面が重要であり、膜厚は不必要である。そこで、混合LBによるPHT超薄膜を用いることで有機EL素子の低駆動電圧や高発光効率化が期待できる。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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