欠陥エンジニアリングによる新規強誘電機能の発現

体系的課題番号：JPMJPR02N7
実施期間：2002 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 生産技術研究所, 助手 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR02N7
研究概要：

絶縁層に挟まれた厚さ数ナノメートルの強誘電層では、欠陥が誘電性を劣化させることなく、特性向上の活性中心として働きます。この層状強誘電体に、電子・原子レベルでの秩序構造に、陽イオン空孔、酸素空孔および積層欠陥を積極的に導入して、利用する欠陥エンジニアリングによって分極特性を設計し、新規な強誘電機能の発現を目指します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：秩序と物性
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2005 終了報告書

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