研課題
J-GLOBAL ID:202104013935492601  研究課題コード:13409469

低磁場配向プロセスによるc軸配向Si3N4セラミックスの開発

実施期間:2013 - 2013
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 戦略的研究シーズ育成事業 )
研究概要:
SiCパワーデバイス実用化に向けて、従来品(放熱基板用で85~95W/m・K)より高熱伝導率(150W/m・K以上)をもつSi3N4セラミックスの開発と、実用化に向けた低磁場配向プロセスの開発を目的として行われた。高熱伝導率Si3N4セラミックスの開発では、高熱伝導率を示すSi3N4のc軸の配向制御と、緻密化と粒成長を促進する焼結助剤(Y2O3-MgO)の添加により、目標を達成(149W/m・K)した。低磁場配向プロセスでは、β-Si3N4種粒子表面に磁化率の大きいグラフェンや黒鉛粒子を被覆した複合粒子の合成に成功した。焼結後、粗大なβ-Si3N4柱状粒子のc軸(長軸)方向は磁場に対して平行に配向していたことから、被覆量の最適化と複合粒子の分散制御で、さらなる高配向化が期待できる。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

前のページに戻る