超高性能PZT単結晶薄膜を用いた小型・高セキュアな超音波生体認証デバイスの創製と圧電MEMSサプライチェーンへの産業的貢献

体系的課題番号：JPMJTR20R8
実施期間：2020 - 2022
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院工学研究科, 特任准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTR20R8
研究概要：

圧電MEMS超音波センサ(pMUT)は,非接触インターフェースや生体認証センサなど様々な応用と大きな市場が期待されている。我々は,これに特化した「世界最高性能のチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系単結晶薄膜」の開発に成功し,従来のセンサ性能を凌駕することを実証している。この成膜法の事業会社への技術移転を現在進めているが,この超高性能pMUTを用いなくては実現が難しい唯一無二の応用の創出も期待されている。そこで本研究では,その候補の一つとして,革新的な高セキュア超音波生体認証デバイスを開発する。そして,デバイス・モデュールメーカーとも共創し,圧電MEMSサプライチェーン全体の発展に貢献する。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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