高密度AHA 処理によるプラスチック基板上の結晶性Si 層の形成技術の開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
研究概要：

真空チャンバ内で水素ガスを加熱触媒体線上で解離させ、生成した原子状水素を基板表面に吹き付ける原子状水素アニール(AHA)法により、プラスチック基板上に低温で作製したSiO2膜表面を還元し、プラスチック基板上に結晶性Si層を形成する技術を開発する。本技術により軽量・低消費電力の情報端末であるフレキシブルディスプレイ(シートコンピュータ)の実現を目指し、誰もが安全かつ豊かな生活が送れる社会を構築する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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