半導体故障解析のための三次元ドーパントプロファイリング法の開発

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , ナノ構造研究所, 副主任研究員 )
研究概要：

電子線ホログラフィーは位相差分布Φ(x,y)を測定し、半導体中のドーパント分布を直視観察する有効な手法の1つである。しかし従来法では厚み分布を実測できないため、数百ナノメートル以下の均一な厚さに研磨された試料の二次元的なドーパント分布解析が、一般的分析レベルの限度であった。本研究ではトモグラフィーとホログラフィーを組み合わせた画期的なアイデアに基づき、薄片化できない立体構造を有するMOSFET中のドーパントを三次元で分布解析する手法を開発する。

研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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