研課題
J-GLOBAL ID：202104014075528677
研究課題コード：11101785
膜内の応力制御による超硬材への高密着性c-BN被膜の合成
実施期間：2011 - 2012
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, その他部局等, 研究員 )
研究概要：
膜厚1μm程度の密着性に優れたc-BN膜を1μm/h程度で合成することを目標とし、ホウ素炭化物ターゲットを用いたCVA法による合成の可能性について探索した。その結果、(1)【ホウ素炭化物】焼結体はアーク放電時の熱衝撃により短時間で破壊するため、そのままではターゲット材料として使用できない、(2)ホウ素焼結体やホウ素-炭素混合焼結体では抵抗値が高いため、アーク放電は不可能であり、アーク放電はホウ素炭化物でのみ可能である、(3)短時間放電で堆積した膜にはc-BN相の存在が確認でき、CVA法では比較的容易に合成が可能であることが探索された。ただし、成膜技術として確立するには、耐熱衝撃性の優れたターゲットの開発が必要と結論付けた。
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