(110)面を有するIV族歪みヘテロ薄膜の素子応用

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院医学工学総合研究部, 助教 )
研究概要：

シリコン中の正孔移動度の向上を目的とした、(110)面上への歪みSi薄膜形成プロセスの改善に関する提案である。Si(110)面の活用及び歪み印加の効果を更に高めることにより、高正孔移動度の達成を目指す。これまでの研究成果を基礎に、さらなる移動度向上を実現するため、表面ラフネス改善プロセスの最適化などを行う。これにより、Si-CMOSデバイスの高速化を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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