新規ビスマス系複合ペロブスカイト化合物薄膜の開発

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 助教授 )
研究概要：

本提案は自動車をはじめ広範な産業分野において強く要求される高温環境下で使用可能な無鉛強誘電体材料の開発に関するものである。高温スパッタリング法によりPt(100)/MgO(100)基板上にA3+B3+O3型ペロブスカイト構造を有するエピタキシャルな化合物薄膜を作製する。当該膜の圧電特性(d33)、強誘電特性及びメモリ特性を調べて圧電マイクロアクチュエータや強誘電性不揮発性メモリ(FeRAM)の素子材料への応用を検討する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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