研課題
J-GLOBAL ID:202104014421599110  研究課題コード:09152490

III族酸化物/窒化物半導体複合構造の界面制御とデバイス応用

体系的課題番号:JPMJPR096A
実施期間:2010 - 2012
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 新世代ネットワーク研究センター, 主任研究員 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR096A
研究概要:
近い将来、窒化ガリウム(GaN)はシリコンと並び半導体電子デバイス材料の中核を担うと予想されます。今後GaNトランジスタを新たな応用分野に利用拡大していくためには、高品質な絶縁膜が必須であります。本研究ではIII族酸化物をその有力候補として着目し、超高真空中での連続製膜により外的な要因を排除した理想的な酸化物/窒化物複合構造を作製し、系統的な解析により、GaNトランジスタの性能向上ならびに新展開を目指します。
研究制度:
上位研究課題: 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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