Si(111)面上GaSb系へテロエピタキシーによる低価格化赤外光素子

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部, 准教授 )
研究概要：

Si(111)基板上にSb系半導体へテロエピタキシーを行いGaSb/AlGaSbおよびInを含む関連した多重量子井戸構造を作製し、その赤外発光・受光素子としての可能性を明らかにし、Si(111)基板を採用した低価格な光デバイスの実現を目指す。Sb系半導体の転位密度の低減のために超格子の採用やバッファー層の最適化を行う。また、選択エピタキシャルの導入によるSi半導体との複合化についても検討を行う。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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