CMOSセンサ技術とMEMS技術を融合した高精細イオンイメージセンサ開発

体系的課題番号：JPMJTS1515
実施期間：2015 - 2020
実施機関 (2件)： ,
企業責任者： ( )
研究責任者： ( , 電気・電子情報工学系, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTS1515
研究概要：

微小領域のイオンの挙動を可視化するため、CMOS技術とMEMS技術によりナノレベルの空間解像度とナノモーラレベルの検出感度を持つイオンイメージセンサ製作技術を確立します。ナノ材料や生体から放出されるイオンが、センサ表面に達するまでに横方向に拡散するのを防ぐためのインターフェースの開発を進めます。さらにイオンイメージセンサの信頼性の保証、およびそのための出荷検査の基準を検討し事業化への検討課題を明確にします。

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研究制度：＞＞＞
上位研究課題：ナノレベルの分解能と識別感度をもつイオンセンサの実現に向けた技術開発
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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