酸化物ナノワイヤ構造を用いた不揮発性メモリ素子の開発

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 産業科学研究所, 助手 )
研究概要：

ボトムアップ的に作製されるナノ領域10nm以下の酸化物ナノワイヤをテンプレートとした新規ナノへテロ構造を高温プロセスで作製し、作製されたヘテロナノワイヤをシリコン基板上の電極間に低温プロセスでポジショニングすることにより、従来のリソグラフィー微細化限界を遥かに凌駕したナノ領域10nm以下での高集積化が可能となる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリ素子を実現する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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