置換原子配列の規則化による高性能熱電クラスレートの開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学情報機構, 准教授 )
研究概要：

クラスレート半導体はガラス並みに低い熱伝導度を持ち、n型で高い熱電性能が実現している。しかし移動度が単結晶でも15cm2/Vs程度であり、移動度の向上が大きな課題である。本研究では添加した遷移金属元素が特定の副格子サイトを置換する特性を利用し、キャリア補償のため添加される置換元素の配列を規則化することにより移動度を向上させる。これにより、クラスレート系で最も高い特性が報告されている単結晶Ba8Ga16Ge30と同等の性能を持つ新規n型クラスレートの焼結体作製を目標とする。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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