研課題
J-GLOBAL ID：202104014784834773
研究課題コード：07051376
多価イオンプロセスによるナノデバイス創製
体系的課題番号：JPMJCR02B4
実施期間：2002 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, レーザー新世代研究センター, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B4
研究概要：
低エネルギー多価イオン1個を半導体表面などに照射すると、入射点にナノメーターサイズの明瞭なドット構造が生成されます。そのサイズはイオン種により制御可能で、各イオン照射ごとに均一なサイズと量子構造を持つことが観察されました。本研究では、この多価イオンのもつ革新的なプロセス能力を活用し、単一イオン入射を制御しながら量子ドットを周期的に配列させる技術を開発し、新しい(光)機能性素子の創製を目指します。
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超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製
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