SiCデバイス高温実装のためのNi系ナノ粒子による接続材料・技術研究

実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 情報生産システム研究科, 教授 )
研究概要：

ナノNiによる接合性について、従来ほとんど検討がなされていないが、ナノAgと比較して、耐食性、高温耐熱性にすぐれていることが期待される。従来明らかになっていた表面がAu以外のAg金属等についてもNiの直接接合が可能であることを明らかにした。またナノ粒子については、粒径、ペースト化条件による接合性評価を行った結果、いずれも100nm以下特に50nm程度のサイズのもので、接合性が良好であることを確認した。SiCデバイスの300°Cでの動作試験を行い、耐熱性を確認した。接合雰囲気については、還元雰囲気で、さらに強固な接合強度がえられているが、実用性を考慮して、大気中での接合の最適化にも注力した。STEMによる界面挙動解析も行った。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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