研課題
J-GLOBAL ID:202104015067741040  研究課題コード:19198282

半導体レーザーによる単結晶シリコン帯形成アニール装置の開発

体系的課題番号:JPMJTR191C
実施期間:2019 - 2021
実施機関 (1件):
企業責任者: ( , 技術部 技術1課, 課長 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJTR191C
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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