高品質GaN結晶成長法の開発とMIS-FETへの応用

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 総合理工学研究機構, 教授 )
研究概要：

GaN-MIS-FETは、パワースイッチング素子として精力的に研究されている。しかし、GaNの結晶は成長が困難で、現状では結晶欠陥が多く、更にMIS界面の欠陥はSiに比べ2桁も多い。本提案者等は、MBE法でありながら、InNの結晶成長に於いてLPEライクとなる成長モードを世界で最初に開発した。LPE成長は、GaAs等に於いて他の成長方法よりも結晶欠陥密度を低く抑えることが知られている。この技術をGaNへ応用し、MIS-FETのチャンネル層を作成して、デバイスの高性能化を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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