強磁場スパッタ法によるviaホールへの成膜

実施期間：2005 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学研究科 )
研究概要：

申請者らは最近、従来の20倍以上強力な磁場をターゲット上に発生できるマグネトロンスパッタ装置を開発した。その結果、通常よりも2桁低い圧力下(高真空)で安定したスパッタが可能となり、高品位膜の成膜が期待される。雰囲気ガス圧が低いと平均自由行程が長いため、スパッタ粒子はきわめて高い直進性を持つ。本課題ではこの高い直進性を利用して、次世代LSIで必要とされる極細の層間コンタクトホール(viaホール)やトレンチへのCu膜の成膜技術を研究する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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