PCRAM用「TeフリーSbZn相変化材料」の開発

実施期間：2011 - 2011
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学研究科, 准教授 )
研究概要：

本研究は、Sb-Zn 薄膜を用いた相変化メモリ開発を行った。Sb-Zn薄膜は、アモルファス相を呈し、200°C以上の高い結晶化温度にて結晶化する事を確認した。Sb-Zn薄膜の電気特性評価の結果、典型的なメモリスイッチング挙動を示した。Sb-Zn薄膜は、Ge-Sb-TeやGe-Teなどの既存相変化材料に比して高い結晶化温度および低い融点を併せ持つため、低消費電力かつ高耐熱性を有する新規相変化メモリとして十分期待される。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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