研課題
J-GLOBAL ID:202104015224645580  研究課題コード:08005585

原子空孔受託評価及び評価装置製作ベンチャー企業の創出

実施期間:2008 -
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 特任教授 )
研究概要:
高集積メモリデバイスの大量製造にとってますます必要となる完全結晶ウェーハおいて、点欠陥の状態で含まれる原子空孔の濃度とその分布を制御することは必須の技術課題である。開発代表者らが発明した低温超音波計測は、この課題を解決する方法として注目されており、世界の主要半導体企業から原子空孔濃度の測定依頼が寄せられている。今回、低温超音波計測に用いる圧電素子として、これまで用いてきた酸化亜鉛(ZnO)薄膜のかわりに、有機ポリフッ化ビニリデン(PVDF)圧電薄膜を用いることで、単位時間当たりの測定可能回数(イールド)を大幅に向上させ、需要が増大する完全結晶ウェーハに対する実用評価技術を確立させる。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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