高効率高出力なワイドバンドギャップ半導体デバイスの基板材料の残留応力および熱伝導率に対するクロスニコル像を用いた簡易評価技術開発

実施期間：2010 - 2010
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学部, 准教授 )
研究概要：

ワイドバンドギャップ半導体材料の残留応力および熱伝導率・熱膨張率等の熱物性評価に対して、量産ラインでも適用できる偏光クロスニコル像を用いた定性的簡易評価技術開発を行った。直線偏光板を用いるのではなく、左・右円偏光板をクロスニコル配置するという工夫を行うことにより、アイソジャイアと呼ばれるゴースト像を消去することに成功し(円偏光クロスニコル像)、残留応力・歪の可視化を達成した。かつこれらの物性が熱膨張率のウェハ内分布に影響を与えることを明らかにした。よって当初目的をほぼ達成したと結論される。今後の展開としては、今回得られた円偏光クロスニコル像が他の物性とどのような相関があるのかを調査するとともに、その結果を踏まえ技術移転を目指した産学共同等の研究開発ステップを目指す。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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