絶縁基板上薄膜トランジスタのための製膜と結晶化後の基礎評価に関する研究

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電気電子工学科, 教授 )
研究概要：

要素研究として、製膜およびその解析評価技術を確立をする。また、TFTの高性能化(チャネル、電極)のための熱、レーザー、結晶化実験を、外部研究機関の協力を得て推進する。特に、製膜と熱処理の基礎データ取得に注力し、その後の素子研究の土台とする。具体的には、製膜装置や実験装置など導入、準備しつつ、高純度のアモルファスSi製膜、Si中への不純物のドーピング、結晶化後の電気的特性と結晶性の解析を行ない、素子性能に関連する条件、基本的な導電機構と結晶化との関連などについて検証する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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