キャリアドープによるGaN系希薄磁性半導体の磁性制御

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工芸科学研究科, 講師 )
研究概要：

磁性元素であるマンガン(Mn)を数%添加した窒化ガリウム(GaMnN)は、結晶中に希薄に存在するMn の間をキャリアが動き回ることで強磁性(磁石)になる、「キャリア誘起強磁性半導体」である。半導体と磁石の性質を両方持つため、これまで別々に構成されてきた半導体デバイス(電子デバイス・光デバイス)と磁気デバイス(HDD などの磁気記録デバイス・磁気センサ)を一つのデバイスに融合できる新しい材料として注目を集めている。本課題では、GaMnN にSi など安定なドナーを添加して、強磁性を発現させ、実用的なデバイスの実現を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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