研課題
J-GLOBAL ID：202104015639895957
研究課題コード：08062768
ワイドギャップ強磁性半導体デバイス
体系的課題番号：JPMJPR0869
実施期間：2008 - 2010
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 金属材料研究所, 講師 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0869
研究概要：
光触媒性や透明導電性を持つ酸化物半導体である二酸化チタンに少量のコバルトをドーピングすると室温強磁性が発現します。このコバルトをドープした二酸化チタンの中にある電子の電荷とスピンを電気や光を用いて制御し、強磁性のスイッチングなどスピントロニクスのデバイス実証を試みます。さらに、将来のエレクトロニクスに役立つと期待される半導体スピントロニクスデバイスが室温で身近に使えるようになることを目指します。
タイトルに関連する用語 (2件)：
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上位研究課題：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
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